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陷阱中心的存在会增加少子寿命。

陷阱中心的存在会增加少子寿命。
A.正确
B.错误
正确答案：正确

标签：半导体物理少子寿命

上一条：对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。

下一条：电子的漂移电流的方向，与（）相同。