在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。

在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
A.电离杂质散射为主
B.晶格散射为主
C.本征激发起主要作用
D.杂质完全电离
正确答案：晶格散射为主；杂质完全电离