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硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV,等效状态密度N=8.8×1018/cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。(k=8.6×10-5eV/K)()
硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV,等效状态密度N=8.8×1018/cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。(k=8.6×10-5eV/K)()
A.1×1014/cm3
B.1.65×1014/cm3
C.2×1014/cm3
D.3.3×1014/cm3
正确答案:1×1014/cm3
标签:
材料物理
浓度
空穴
上一条:
已知NaCl的A1=5.0×107s·m-1,W1=169kJ/mol,A2=50s·m-1,W2=82kJ/mol;计算在300K时的电导率。()
下一条:
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV,等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为()。