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如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3杂质,则在1600℃时,CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度(CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV)?()
如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3杂质,则在1600℃时,CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度(CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV)?()
A.正确
B.错误
正确答案:B
标签:
材料物理
缺陷
晶体
上一条:
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动,随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。()
下一条:
在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中,氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。()