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氧化性气氛生成p型半导体,以下缺陷反应生成阳离子空位(Ma-yXb)型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。()
氧化性气氛生成p型半导体,以下缺陷反应生成阳离子空位(Ma-yXb)型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。()
A.正确
B.错误
正确答案:A
标签:
材料物理
性气
阳离子
上一条:
少量CaCl2在KCl中形成固溶体后,实测密度值随Ca2+离子数/K+离子数比值增加而减少,由此可判断其缺陷反应式为。()
下一条:
亚间隙机构与空位机构相比,造成的晶格变形大;与间隙机构相比,晶格变形小。AgBr晶体中的间隙Ag+的扩散,萤石型结构UO2+x晶体中间隙O2-的扩散属于亚间隙扩散机构。()