首页
›
答案
›
题库
›
其它知识竞赛
下列关于闪存(FlashMemory)的叙述中,错误的是()。
下列关于闪存(FlashMemory)的叙述中,错误的是()。
A.信息可读可写,并且读、写速度一样快
B.存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器
C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D.采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器
正确答案:A
标签:
存储器
信息
闪存
上一条:
如果一个存储单元被访问,则可能这个存储单元会很快地再次祓访问,这称为()。
下一条:
某计算机存储器按字节编址,主存地址空间大小为64MB,现用4M×8的RAM芯片组成32MB的主存储器,则存储器地址寄存器MAR的位数至少是()。