抑制性突触后电位的产生是由于后膜对下列哪种离子的通透性增加所致？

抑制性突触后电位的产生是由于后膜对下列哪种离子的通透性增加所致？
A.Na+
B.Cl-
C.K+
D.Ca2+
E.Mn2+
正确答案：A