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电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）

电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确

标签：电力电子技术电力

上一条：电力晶体管GTR存在二次击穿的问题。（）

下一条：改变开关管VT在一个开关周期中的导通时间TS，即改变导通占空比D，即可改变电压比M。（）