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耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（）

耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（）
A.对
B.错
正确答案：错

上一条：阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。

下一条：设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）状态。