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NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
A、P+，P+
B、P+，N+
C、N+，N+
D、N+，P+
正确答案：N+，N+
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工艺流程设计的任务有哪些（）。
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N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）。