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电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中后者的截止区、饱和区和放大区,分别对应前者的()、()、()。
电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中后者的截止区、饱和区和放大区,分别对应前者的()、()、()。
正确答案:截止区|非饱和区|饱和区
标签:
发射极
特性
区域
上一条:
IGBT的输出特性分为三个区域:()、()和()。
下一条:
IGBT是由()和()两类器件取长补短结合而成的复合器件。