功率MOSFET的薄弱之处是绝缘层易被击穿损坏，栅源间电压不得超过（）V。

功率MOSFET的薄弱之处是绝缘层易被击穿损坏，栅源间电压不得超过（）V。
A、20
B、30
C、40
D、50
正确答案：20