CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
正确答案：CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg<