有关预饱和技术的描述不正确的是（）

有关预饱和技术的描述不正确的是（）
A.可用于各种脉冲序列
B.最多可放六个饱和带
C.饱和带越多抑制伪影效果越差
D.饱和带越多扫描时间越长
E.饱和带越窄越靠近感兴趣区抑制效果越好
正确答案：C