首页
›
答案
›
题库
›
博览群书
悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺,第一次区熔时,第一次熔区停留挥发时间()左右。
悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺,第一次区熔时,第一次熔区停留挥发时间()左右。
A.3min
B.5min
C.10min
D.20min
正确答案:C
标签:
多晶
含量
工艺
上一条:
孤岛效应名词解释
下一条:
1954年,第一块实用的单晶硅光电池效率为()。