简述热交换法制备铸造多晶硅的工艺步骤及各自要点。

简述热交换法制备铸造多晶硅的工艺步骤及各自要点。
正确答案：热交换法制备铸造多晶硅的工艺步骤包括：装料、加热、化料、晶体生长、退火、冷却。装料：先将炉内抽真空然后通入氧气作为保护气体。加热：加热引硅熔点温度以下，使石墨部分、隔热层、硅原料等表面吸附的物质蒸发。化料：逐渐加热到1500℃左右，硅原料开始熔化。晶体生长：使温度降至1420～1440℃左右，同时进行热交换，生长过程中国液界面始终与水平面平行，直至晶体生长完成。退火：晶体生长完成后，硅锭保持在硅熔点附近2～4h，以减少热应力。冷却：炉内通入大流量氧气，使晶体温度逐渐降低至室温附近。