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电容
电容
301
额定电压为100000/400V的三相电力变压器负载运行时,若付边电压为410V,负载的性质是()。
302
555定时电路RST端不用时,应当()。
303
正弦稳态电路中,一个电阻串联一个电容。已知电阻元件上电压有效值为3V,电容元件上电压有效值为4V,则串联总电压有效值为()V。
304
劈相机故障时,使用()代替,此时是电容分相起动
305
关于RC电路的过渡过程,以下说法正确的是()
306
电容元件的交流电路中,当电源频率升高时,电容的容抗()
307
在电路的暂态响应中,下列参数不可以跃变的是()。
308
下列各量中,在换路瞬间可能发生变化的是()
309
若在换路前电容无储能,则换路后瞬间可认为电容开路。
310
理想的电容元件是只储能,不耗能,它将电能转变为磁能储存。
311
关于DRAM刷新的说法中,错误的是()。
312
电容用()符号表示。
313
电容上的电流与其电压的变化率成()比。
314
纯电容电路中u与i频率相等,电流相位超前电压相位,有功功率为,属于元件。
315
电容的容抗XC=1/2πfc,电容具有的特性。
316
放大电路画直流通路时电容视为开路。
317
在画交流电路时,电容C1、C2视为,对于直流电源可视为。
318
电容具有阻直流,通交流的特性。
319
纯电容元件不消耗有功功率。
320
在电阻、电感、电容元件的串联电路中当感抗小于容抗时,电路呈。
321
在画交流电路时,电容C1、C2视为短路,对于直流电源可视为断路。
322
在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,这种处理方法是()。
323
直流稳压电路常用的电容属于()
324
纯电容电路中,已知外加电压u=220√2sin(wt+15°)V,则电路中的电流的初相位为。
325
六管MOS型存储单元采用的是()存储信息。
326
电感电容相串联,UL=120V,UC=80V,则总电压等于200V。()
327
电感电容相串联,UL=120V,UC=80V,则总电压等于200V。
328
在交流电路中,电容的电压超前于电流90°
329
电容元件的主要工作方式是充电或放电,如果不充放电,电容则不工作。
330
当角频率等于0时,电容相当于()。
331
纯电容正弦交流电路,增大电源频率,则电流变()。
332
当角频率趋近于无穷大时,电容相当于()。
333
纯电容正弦交流电路,增大电源频率,则容抗变()。
334
RFID系统的耦合方式有()
335
当检测体为()时,应选用电容型接近开关。
336
瓷介电容上标注数值103,表示该电容的数值为103皮法。
337
电容1,标101,其容量为()pF;电容2,标222,其容量为()nF;电容3,标104,其容量为()uF。
338
下电路,开关合上后,第()个电容先满电,第()个电容最后充满电。
339
下电路,按键按下后,电容被()路,输出电压Vo=()V,按键弹起后,输出电压渐(),最后,输出电压稳定在()V。第一空选填“开”或“短”,第三空选填“上升”或“下降”。
340
下电路,按键按下后,电容被()路,输出电压Vo=()V,按键弹起后,输出电压渐(),最后,输出电压稳定在()V。第一空选填“开”或“短”,第二空选填“上升”或“下降”。
341
一平行板电容器,两板间距离为d,若插入一面积与极板面积相同而厚度为d / 2 的、相对介电常量为εr的各向同性均匀电介质板(如图所示),则插入介质后的电容值与原来的电容值之比C / C0为()
342
采用独立直流电源,不存在电容均压问题,同时具有模块化设计潜力,很容易实现更多电平、更高电压和更大功率输出的是()多电平电路。
343
交-直-交逆变电路中,中间直流环节采用大电容滤波的变流器称为()变流器。
344
对于滤波电路,电容选择越大越好。
345
555定时器电路5脚即控制端不用时,应当()。
346
斩波电路通常要在输出端加上(),以稳定输出电压。
347
对于图5-1所示电路,电容C1=10μF,C1应为电解电容。
348
图5-1所示电路中,电容CE的作用是耦合电容。()
349
关于品质因数Q,下面说法正确的包括()。
350
压电传感器是一个具有一定电容的电荷源。()
351
面积变化型电容传感器的输出与输入,成()关系。
352
极距变化型电容传感器适宜于测量微小位移量是因为()。
353
半导体存储电路中使用的存储单元可以分为静态存储单元电路和动态存储单元电路。存储单元由门电路连接而成,只要不切断供电电源,存储单元的状态会一直保持下去。存储单元电路是利用电容的电荷存储效应来存储数据,由于电容的充放电需要一定的时间,因此其工作速度较低,而且电容上存储的电荷会随着时间的推移而逐渐泄露,因此需要定期进行“刷新”(重写数据),但这种电路结构十分简单,因此被广泛应用于大容量的存储器中。
354
在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电压源也视为短路,这种处理方法是()。
355
已知一单相桥式整流、电容滤波电路,U2=40V,试分析判断以下几种情况,电路是否发生故障,若有故障应该是那些元件损坏引起的?
356
在放大电路中,输入端和输出端的电容起什么作用?
357
可控整流的整流元件是()。
358
在运算放大器放大倍数很大时,压电传感器输入电路中的电荷放大器的输出电压与()成正比。
359
具有同步触发电路可调直流电源在电源电压过零时,要使单结晶体管振荡电路中的电容把电荷放完,直到下一个半周电容从零开始充电,这样就可使每个半周发出第一个触发脉冲的时间相同。
360
实施电动汽车断电操作时,断开检修塞后需等待几分钟再进行下一步操作是因为车内很多高压用电器电路中有电容,为了防止断电后电容放电引发事故。
361
并联电容补偿的主要优点有提高电压水平以及()
362
无功功率充足的系统中,最经济的调压手段是利用()调压
363
电感与电容一样,也是储能元件。
364
电容的国际单位是()。
365
一般情况下,电容的耐压值越高,体积越小。
366
耐压为100V的电容接在10V的电路上,电容就直接被击穿并且损坏。
367
电容耐压值是指电容器能够随电压的()值。
368
在用数码法(如473)标注电容时,凡用整数表示的,单位默认为()。
369
电容2P2代表的电容值是()。
370
电容式差压变送器是将差压的变化转换成的变化来进行测量的。
371
下列电容传感器适合测量微小位移的是:()。
372
下列哪一种传感器的输出特性是非线性?()
373
在电容传感器中,若采用调频法测量转换电路,则电路中()。
374
根据电容器参数变化的特性,可以将电容传感器分为:()、()和()。
375
采用差动结构的电容传感器有什么优点?
376
简述电容式接近开关的工作原理。
377
电容压力传感器的电容值变化是差压引起电容极板的()变化导致的。
378
若左侧压力P1大于右侧压力P2,则中心感压膜片会发生形变,从而导致()
379
电容式压力变送器输出的电流信号与差动电容的两个电容差成正比
380
电容差压变送器的()与差压成正比,因此可以构成线性变送器。
381
冲激电流流过电容,会使电容电压产生跃变。
382
电容C的复频域导纳是()。
383
电容的运算阻抗是()。
384
电容元件初始储能不为零,电容的运算电路模型附加电压源方向与uc(0-)电流方向相反。
385
红外传感器是薄膜()型,它有两个吸收气室,充以被测气体。
386
变极距型电容传感器通常用于测量很大的线位移。
387
变极距型电容传感器灵敏,且输出是本质线性的,因而测量范围大。
388
电容式传感器采用()作为传感元件,将不同的被测量变化转换为电容量的变化。
389
电容式传感器采用电容作为()元件,将不同的被测量变化转换为电容量的变化。
390
电容式传感器采用电容作为传感元件,将不同的()变化转换为电容量的变化。
391
电容式传感器采用电容作为传感元件,将不同的被测量变化转换为()的变化。
392
变面积型电容传感器一般用于测量()的线移位或角位移。
393
变面积型电容传感器一般用于测量较大的()或角位移。
394
()型电容传感器一般用于测量较大的线移位或角位移
395
变面积型电容传感器一般用于测量较大的线移位或()。
396
电容式物位计核心部分一般是变极距型电容传感器。
397
在电容传感器中,若采用调频法测量转换电路,则电路中()
398
在电容传感器中,如果应用调频法测量转换电路,则电路中()。
399
容栅传感器是根据电容的()工作原理来工作的。
400
简答电容式液位传感器的工作原理?
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