首页 › 答案 › 标签 › 空穴

空穴

101半导体中传导电流的载流子是（）

102在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

103在PN结形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。

104有机刚性粒子增韧机理包括了（）

105按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。

106下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）。

107在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）。

108本征半导体掺入微量的三价元素形成的是N行半导体，其多子为空穴。（）

109P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。（）

110P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。

111P型半导体的多数载流子为空穴，故它带正电。（）

112自由电子和空穴都称为载流子，在本征半导体中自由电子和空穴总是分开出现，同时又不断复合。（）

113为防止液压泵产生空穴现象，可采用直径较大的吸油管。

114为防止液压泵产生空穴现象，泵吸油腔中的绝对压力至少应大于（）。

115在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（）

116在液体流动中，因某点处的压力低于空气分离压而产生大量气泡的现象。称为（）。

117MOS和PMOS场效应管的导电类型分别为

118P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度A.大于B.小于C.等于D.大于或等于

119N型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度A.大于B.小于C.等于D.大于或等于

120二极管具有（）

121在流动的液体中，因某点处的压力低于空气分离压而产生气泡的现象，称之为空穴现象。该说法（）

122自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。（）

123半导体中的空穴带正电。（）

124P型半导体的多数载流子是空穴，因此带正电。（）

125N型半导体中，自由电子的数目和空穴的数目（）。

126糊精包合物具有一定的空穴结构，主分子和客分子之结合在一起，化学性质不变。

127本征半导体中的载流子有：（）。

128与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是

129与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是：

130在P型半导体中，当温度升高时，自由电子浓度会增加，而空穴浓度保持不变。

131场效应管是靠（）导电。

132三极管是靠（）导电。

133半导体的导电机理是当外部加电场时，载流子即（）在电场的作用下定向移动，形成电流。

134当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）。

135空穴是一种载流子吗

136在P型和N型半导体中多数载流子分别是

137进行施工验槽时，其内容不包括（）

138主要靠电子导电的半导体，称为（）型半导体；主要靠空穴导电的半导体，称为（）型半导体。

139什么是本征光吸收跃迁和电子－空穴复合发光？

140什么是异质结的窗口效应？

141以在P型材料形成的PN结为例，简述光生伏特效应？

146为什么在半导体中空穴迁移率一般比电子迁移率低？

147电子和空穴的不同之处是什么？

148电子和空穴的有哪些共同之处？

149半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？

150简述半导体的导电机构。

151半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。

152对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

153电子浓度不等于空穴浓度。（）

154在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的。（）

155复合中心的作用是（）

156电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（）

157电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。

158受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。

159如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。

160把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。

161根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（）

162在n型半导体中（）

163重空穴是指（）

164在P型半导体中（）

165载流子在漂移的单位距离内产生的电子―空穴对是指（）

166勾心未遂，异念滋生，空穴而出，大起角斗（称谓）

167随着温度的升高，陶瓷半导体电子空穴的浓度按（）规律增加。

168N型半导体是在纯净的半导体中加入（）

169N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。

170N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。（本题4.0分

171在液压系统中，空穴多发生在①阀口；②液压泵的进口处；③液压泵的出口处；④液压缸的进口处。其中那个位置时正确的。（）

172按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为（）。

173一般认为空穴是在作为谐振子的球状的阴阳离子间形成的，空穴体积相当于熔融时体积膨胀量，空穴的分布是均匀的

174P型半导体的多数载流子是

175电子与空穴的漂移速度不同，电子的迁移率（）空穴的

176关于P型半导体，下面说法正确的有（）。

177半导体中对导电性能起到主要作用的是（）。

178P型半导体中空穴的浓度远大于（）载流子的浓度。

179当温度升高时，半导体中的部分电子将会因为热激发脱离共价键，形成电子空穴对。

180OLED在（）的作用下，阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层。

181杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（）。

182在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

183在发光二极管中，电子和空穴复复合时释放出的能量大小决定了发光的颜色，以下说法正确的是：（）

184在N型半导体中，空穴浓度（）电子浓度。

185自由电子（）空穴对在本征半导体中是成对出现的。

186P型半导体中只有载流子空穴，N型半导体中只有载流子电子。

187下列关于太阳光子能量Eγ与半导体带隙Eg的关系说法正确的是（）。

188关于PN结的光伏效应，下列说法错误的是（）。

189下列关于太阳光子能量Eγ与半导体带隙Eg的关系说法不正确的是（）。

190太阳能电池作为光电转换器件必须具备的条件不包括（）。

191N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。

192N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为（），少数载流子为（），不能移动的杂质离子带（）电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为（），少数载流子为（），不能移动的杂质离子带（）电。

193克罗格（）明克缺陷符号表示方法中h.表示（）

194NTC热敏电阻的导电性能取决于内部载流子（电子和空穴）（）。

195P型半导体中参与导电的多数载流子是（）。

196在N型半导体中，多数载流子是（）。

197P型半导体又成为空穴半导体。

198N型半导体的特点是：多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子。

199由于光照、温升、射线照射等引起的本征半导体共价键被破坏的现象称为（），产生两种载流子，分别是（）和（）。

200受主杂质电离后向半导体提供（）作为参与导电的载流子

‹123 4 ›