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模拟电子技术

101理想情况下，有源高通滤波器在图片png时的放大倍数就是它的通带电压放大倍数。

102正弦波振荡电路的决定了电路有唯一频率的振荡波形输出。

103欲实现将正弦波电压转换成占空比50%的方波电压，应选用。

104在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率f0＝1/RC。

105以下电路可能产生正弦波振荡的是：

106直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量

107在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管接反，输出电压平均值变为原来的一半。

108当输入电压UI和负载电流IL变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。

109在单相桥式整流、电容滤波电路中，若RLC＝（3～5）T/2（C为滤波电容，RL为负载电阻，T为电网电压的周期）时，整流电路中二极管的导通角一定小于180度；

110小功率直流稳压电源由电源变压器、、滤波电路和稳压电路四部分构成

111直流稳压电源中滤波电路的目的是

112直流稳压电源中整流的目的是

113欲测单相桥式整流电路的输入电压Ui及输出电压U0，应采用的方法是

114在单相桥式整流（无滤波时）电路中，输出电压的平均值UO与变压器副边电压有效值U2应满足关系

115在画直流通路时，应将电路中的大容量的耦合电容、旁路电容视为（）。

116在画交流通路时，应将电路中的大容量的耦合电容、旁路电容视为（）。

117在下图电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝06V。当负载电阻RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为（）V。

118电路如下图所示，晶体管的b＝100，=100Ω。若电容Ce开路，则将引起电路的哪些参数发生变化？

1191、要实现从信号源索取电流小、并增强带负载能力，应该引入（）负反馈。

124在模拟电路中半导体器件主要工作在放大（线性区）；数字电路中半导体器件主要工作在开关（非线性区）。

125常见的半导体器件有二极管、（）和场效应管。

126数字电路的工作状态主要在开关（非线性）区。

127模拟电路的工作状态主要在放大（线性区）。

128常见的半导体器件有（）、三极管和场效应管。

129在绝对零度（0K）时，本征半导体中（）载流子。

130在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。

131半导体中的载流子为（）。

132半导体中的空穴是（）。

133本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

134半导体中的空穴带正电。

135N型半导体中的多子是（）。

136P型半导体中的多子是（）。

137在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

138在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）。

139在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。

140在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。

141P型半导体带正电，N型半导体带负电。

142在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。

143在下列说法中只有（）说法是正确的。

144当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

145当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。

146当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？

147一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。

148PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

149半导体二极管的重要特性之一是（）。

150整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。

151在高频电路中的检波管通常采用点接触型二极管。

152在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流I的值将是（）。

153二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。

154在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。

155用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的（）电阻，由于不同量程时通过二极管的电流（），所测得正向电阻阻值（）。

156设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝06V。当二极管的结温升高10℃，若要UD保持不变，则ID的值为（）。

157在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈05V，反向饱和电流IS≈01pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确。

158设某二极管反向电压为10V时，反向电流为01μA。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为（）。

159关于二极管的反向电流，下列说法正确的是（）。

160若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。

161当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。

162二极管只要反偏，必然截至。

163二极管的单向导电性与信号频率无关。

164电路的静态和动态之间相互独立，没有联系。

165在电子电路分析过程中，应先动态后静态。

166将放大电路没有交流信号输入，只有直流电源单独作用的状态称为。

167将放大电路有交流信号输入的状态称为。

168电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO=（）。

169二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。(设二极管的导通压降为07V。)

170在如图所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6Ω。当普通指针式万用表置于R×1Ω档时，用黑表笔（正电）接A点，红表笔（负电）接B点，则万用表的指示值为（）。

171稳压管的稳压区是其工作在（）区。

172某只硅稳压管的稳定电压Uz=4V，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和－5V（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）。

173稳压二极管构成的稳压电路，其正确接法是（）。

174稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。

175能够进行光电转换的二极管是（）。

176变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的。

181晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。

182工作在放大状态的某PNP晶体管，各电极电位关系为（）。

183晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。

184双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。

185在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-93V，则这只三极管是（）。

186NPN型三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地电位分别是：UA=33V，UB=4V，UC=6V，则ABC对应的电极是（）。

187下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。

188双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。

189晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。

190晶体管是（）器件。

191管压降UCE增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。

192晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。

193某晶体三极管的IB从20μA变化到40μA时，对应的IC从2mA变化到5mA，则该管的β等于（）。

194对于小功率晶体管，可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。

195已知某晶体管UBE=07V，UCE=3V，则该管工作在（）区。

196在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）。

197当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。

198PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（）。

199晶体管的开关作用是（）。

200温度上升时，半导体三级管的（）。

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