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模拟电子技术

501桥式整流电路输出电压平均值是半波整流电路输出电压的平均值的（）倍。
502在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。
503全波整流电路中，若输入电压U2=30V，则整流管承受的最大反向压降约为（）。
504单相桥式整流电路中，若输入电压U2=30V，则输出电压Uo=（）V。
505单相桥式整流电路中，若输入电压U2=30V，负载电阻RL=100Ω，整流二极管的平均电流ID=（）A。
506理想二极管在半波整流电容滤波电路中的导通角为（）。
507电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
508电容滤波要将电容与负载电阻并联，电感滤波要将电感与负载电阻串联。
509串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（）。
510三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。
511三端集成稳压器CW7912的输出电压为（）。
512当输入信号频率为fL或fH时，放大电路增益的幅值约下降为通带内水平增益的（）。
513某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kW的负载电阻后，输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为（）。
514已知某信号源内阻为1kW，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，说明放大电路的输入电阻为（）。
515已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10V～＋10V，若放大电路的通带电压增益是40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是（）。
516信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。
517只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。
518用放大电路放大正弦波信号时，只有可能出现非线性失真，不可能出现频率失真。
519放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。
520放大电路中的符号^表示接大地的地。
521放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
522理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo=（），输入电阻ri=（），输出电阻ro=（）。
523（）放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而（）放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
524欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（）。
525欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用（）。
526欲将输入电压信号放大-100倍，应选用（）。
527在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
528在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
529集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。
530放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。
531电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。
532要想使稳压二极管电路正常工作,下列说法不正确的是（）
533只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
534半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中（）的移动。
535N型半导体中的多数载流子是（），而P型半导体中的多数载流子是（）。
536PN结内电场方向是由（）。
537PN结正偏是指（）。
538二极管正偏时应重点关注（），反偏时应重点关注（）。
539齐纳二极管正常稳压时，工作在（）状态。
540点亮发光二极管应加（），光电二极管正常工作时应加（），变容二极管正常工作时应加（）。
541已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为05mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd=（）。
542半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
543对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。
544二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
545通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
546在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。
547场效应管利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小，因此它是（）控制器件。
548N沟道场效应管的漏极电流由（）的漂移运动形成。
549P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）。
550用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻（）。
551当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
552放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
553小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。
554MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
555作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
556MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
557增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
558场效应管仅靠一种载流子导电。
559设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
560设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
561设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
562可充当电压跟随器的是哪一种放大电路。（）
563共射放大电路与共源放大电路相比
564BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结（），集电结（）。
565当温度升高时，BJT集电极电流（）。
566BJT放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、（）和（）放大电路。
567NPN型BJT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为（），此时应该（）基极电流。
568用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、27V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
569测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是（）。
570NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
571同一只BJT，无论在什么情况下，它的b值始终不变。
572BJT放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。
573在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的Q点。
574直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。
575BJT的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点。
576可以用万用表的W挡测量出BJT的H参数rbe电阻。
577BJT组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。
578放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的主要原因是（）。
579放大电路在低频信号作用时放大倍数下降的主要原因是（）。
580在分析放大电路频率响应时，通过等效RC高通电路分析高频响应，而通过等效RC低通电路分析低频响应。
581通常情况下，对共源极放大电路低频特性影响更大的是源极旁路电容。
582可以通过选择极间电容小的三极管来降低放大电路的下限频率。
583可以通过降低放大电路的增益来增大带宽。
584差分放大电路仿真实验中,放置正负电压VCC和VEE,双击电源图标,在VALUE选项卡中可以修改其电压值。
585当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2=150mV，则vid=（）mV，vic=（）mV。
586双端输出的理想差分放大电路，已知|Avd|=40，|Avc|=0。若vi1=20mV，vi2=-5mV。则|vo|为（）mV。
587电流源电路是一个（），其交流等效电阻（）。
588放大电路产生零点漂移的主要原因是（）。
589差分放大电路共模抑制比的大小反映了（）。
590差分式放大电路最重要的特点是（）。
591在差分式放大电路中，源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置，带来的好处是（）。
592集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的（）能力强。
593设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uV，vi2=950uV，若电路的|Avd|=100，|Avc|=2。则最大输出电压|vo|=（）。
594差分式放大电路与单管放大电路相比，增加了大约一倍的元器件，但获得了抑制零点漂移的能力。
595共模抑制比是衡量放大电路电压放大能力的指标。
596差分式放大电路中源极或射极公共支路上的电流源动态电阻ro对共模输入信号来说相当于短路。
597因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路，所以它只能放大直流信号，不能放大交流信号。
598当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求Avo、rid、KCMR越大越好。
599当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求ro、IIBIIO、VIO、DIIO/DT、DVIO/DT越小越好。
600运放的开环差模电压增益下降3分贝所对应的频率fH是较低的，一般通用型运放的fH约为几赫兹至几十赫兹。
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