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模拟电子技术

701P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度（）
702N型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度（）
703半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）
704通常情况下，硅和锗二极管的开启电压分别为（）和（）左右。
705在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
706在纯净的半导体中掺了杂质后，其导电能力大大增强。
707在半导体内部，只有电子是载流子
708PN结加正向电压时，空间电荷区将
709二极管的导通条件是
710二极管在反向截止区的反向电流
711二极管的正向电阻比反向电阻
712将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是
713二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5?μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为
714工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）
715测得晶体管3个电极的静态电流分别为006mA，366mA和36mA，则该管的β为（）
716有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻小。
717对放大器的分析存在静态和动态两种状态，动态值在特性曲线上所对应的点称为Q点
718某放大电路在负载开路时的输出电压为5V，接入12kW的负载电阻后，输出电压降为25V，这说明放大电路的输出电阻为（）kW
719共集电极放大电路的输入电阻很小，输出电阻很大。
720射极输出器的输出电压与输入电压近似相同。
721为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入（）组态的放大电路
722已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-17V，VB=-14V，VC=5V，则该管类型为（）
723晶体管的电流放大系数β是指（）
724利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（）
725射极输出器无放大（）的能力
726测得晶体管三个电极的静态电流分别为006mA，366mA和36mA。则该管的β为（）
727若两级放大电路的Au1=Au2=30dB，电路将输入信号放大了（）db
728双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。
729三极管的CE两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的CE两个电极互换使用。
730三极管工作在放大区时，若iB为常数，则uCE增大时，iC几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
731放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
732只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
733由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
734场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制器件
735对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为负，并且只能当UGS小于开启电压时，才能形有漏极电流。
736场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压式偏置压电路两种类型。
737自偏压电路适用于所有的场效应管。
738跨导gm反映了场效应管（）对漏极电流控制能力。
739对于耗尽型MOS管，UGS可以为（）。
740结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
741场效应管放大电路和三极管放大电路的小信号等效模型相同。
742开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
743与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
744场效应管放大电路中，共源极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相。
745场效应管放大电路中，共漏极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相。
746场效应管用于放大时，应工作在（）区。（填写恒流/可变电阻/夹断）
747UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。（填写增强型MOS管/耗尽型MOS管/JFET）
748对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（）电压。（填写正/负）
749结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。
750P沟道结型场效应管的夹断电压Up为（）。
751结型场效应管中，外加电压UGS和UDS的极性（）。
752P沟道耗尽型MOS管中，外加电压UGS的极性为（）。
753在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用（）构建放大电路可获得更好的放大效果。
754结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。
755增强型MOS管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。
756场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电；场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。
757场效应管栅极几乎不取电；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
758PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
759当晶体管工作在放大区时，需满足发射结（），集电结（）。
760放大的本质是（）。
761放大电路的特征是（）。
762处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）
763晶体管工作在饱和区的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
764由晶体管构成的三种接法放大电路中，输入电压与输出电压反相的是（）。
765由晶体管构成的三种接法放大电路中，输入电阻最大的是（）。
766由晶体管构成的三种接法放大电路中，频带最宽的是（）。
767由晶体管构成的三种接法放大电路中，输出电阻最小的是（）。
768只放大电压不放大电流的电路，不能称其为放大电路。（）
769只放大电流不放大电压的电路，不能称其为放大电路。（）
770任何放大电路都有功率放大作用。（）
771放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（）
772电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。（）
773放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）
774多级放大电路分析时，前级电路相当于后级的（）。
775多级放大电路总的放大倍数是每一级Au的（）。
776多级放大电路的输入电阻是（）。
777多级放大电路总的输出电阻是（）。
778测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
779放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
780放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
781当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的（）。
782一个电路的放大倍数与带宽之间的关系是（）。
783为了使结型N沟道场效应管工作在恒流区，应使uGS（）
784为了使增强型N沟道场效应管工作在恒流区，应使uGS（）
785为了使耗尽型N沟道场效应管工作在恒流区，应使uGS（）
786增强型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。（）
787场效应管工作在可变电阻区时可用于做放大电路。（）
788耗尽型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。（）
789场效管放大电路的放大能力没有晶体管放大电路的强。（）
790场效管放大电路的输入电阻比晶体管放大电路的大。（）
791场效管的温度稳定性比晶体管好。（）
792晶体管是电流控制电流型器件。（）
793场效应管是电压控制电流型器件。（）
794晶体管里多子和少子均参与导电，而场效应管主要是多子导电。（）
795差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（）。
796差分放大电路的共模信号是两个输入端信号的（）。
797用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（）。
798集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
799集成运放的末级采用互补输出级是为了（）。
800改善差分放大电路性能的措施有（）。
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