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电力电子技术

601逆变电路是将（）转换为（）的电路。
602当交流侧接有电源时，称为（）逆变。
603全桥电路中，两对导电臂交替导通（）度。
604半桥电路常用于几千瓦以下的小功率逆变器。
605与半桥逆变电路相比，全桥逆变电路的电压、电流的幅值均增加了一倍。
606（）为开关导通时间和整个周期的比值。
607通常斩波电路的工作方式有（）调制、（）调制和（）调制三种。
608目前被普遍采用的是（）调制工作方式。
609斩波电路是实现直流-直流转换的电路。
610与传统的线性调节方式相比，斩波技术的效率比较高，可以达到90%-95%。
611PN结最主要的特性为（）。
612纯净的具有晶体结构的半导体称为（）。
613采用一定的工艺掺杂后的半导体称为（）。
614所谓半导体，就是它的导电能力介于（）和绝缘体之间的物质。
615在本征半导体中掺入少量五价元素，构成的是（）型杂质半导体。
616P型半导体的多数载流子是（）。
617给PN结加上适当正向电压，PN结处于（）状态。
618给PN结加上适当反向电压，PN结处于（）状态。
619PN结正偏是指P区电位（）N区电位。
620下列不属于晶体三极管的结构区域是（）。
621当三极管处于（）状态时，基极电流与集电极电流呈正比关系。
622当三极管处于（）状态时，基极电流与集电极电流约等于0。
623当三极管的发射结和集电结都正偏时，三极管处于（）状态。
624三极管具有三种工作状态，分别是放大、饱和、（）。
625当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（）状态。
626晶体三极管在结构上有（）个PN结。
627β一般用于表示三极管的（）。
628三极管放大区的特征是当基极电流变化时，集电极电流与基极电流呈正比变化，三极管具有（）作用。
629晶闸管导通后，其电流只能从阳极流向阴极。
630晶闸管导通后，门极依然具有控制作用。
631逆变电路是（）电路的逆向过程。
632当交流侧直接和负载相连时，称为（）逆变。
633逆变电路直流侧电源是电压源的称为（）逆变电路。
634在全桥逆变电路中，二极管为感性负载提供续流通道，故称为（）二极管。
635半桥逆变电路的输出交流电压的幅值等于直流电源的幅值。
636IGBT有几个电极（）。
637（）是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。
638IGBT的输出特性曲线可分成（）个区域。
639绝缘栅双极晶体管又叫做（）。
640IGBT的电极G叫做（）。
641IGBT的电极分别是（）、（）、（）。
642GBT综合了（）和（）两种电力电子器件的优点，因而具有良好的特性。
643通过改变元件（）来调节输出电压，既能完成降压也能完成升压，并且输出电压稳定。
644斩波电路通常要在输出端加上（），以稳定输出电压。
645斩波电路通常要在电路中加上（）以减小电流的变化率。
646降压式斩波电路的特点是，输出电压比输入电压（），但输出电流比输入电流（）。
647升压式斩波电路的特点是输出电压比输入电压（）。
648二极管的P区电位高于N区电位时，二极管（）。
649在二极管的正向区，二极管相当于（）。
650发光二极管简称（）。
651常用的半导体材料是（）和锗。
652通常把纯净的不含任何杂质的半导体称为（）。
653一位八进制数可以用（）位二进制数来表示。
654将二进制数110111转换为十进制数为（）。
655将十进制数53125转换为二进制数为（）。
656将十六进制数2D转换为十进制数为（）。
657将十六进制数D8A转换为十进制数为（）。
658将十进制数3748转换为八进制数为（），小数点后保留3位。
659三极管按其结构类型可分为NPN型和（）型。
660三极管的三个极分别叫做发射极、基极和（）。
661三极管放大区的特征是当基极电流不变时，集电极电流几乎不变，三极管具有（）特性。
662三极管截止区的特征是基极电流和集电极电流都约等于（）。
663通常把三极管的饱和状态和（）状态成为三极管的开关特性。
664三极管是一种（）控制型器件。
665某三极管，基极电流为003mA，集电极电流为12mA，则发射极电流为（）mA。
666某三极管，基极电流为003mA，集电极电流为12mA，则放大系数为（）。
667NPN型三极管的集电极、基极、发射极电压分别为6V、2V、3V，则三极管处于（）状态。
668N型半导体的多子是（）。
669多子在浓度差作用下的定向运动称为（）运动。
670本征半导体中两种载流子的数量（）。
671当温度升高时，PN结的反向电流会（）。
672图示电路，工作在电流连续模式，已知输入电源电压E为200V，开关管V的PWM控制信号周期为T=50μs，ton=20μs，则输出电压平均值Uo大小为（）
673已知某电路结构如下图所示，则该电路属于（）
674下图所示电路属于直流变换电路中的哪一种？（）
675下图所示电路，已知E=100V，L值和C值极大，开关管V采用PWM控制方式，PWM波形的周期T=50μs，ton=30μs，输出电压平均值Uo的大小为（）
676下图所示为升压斩波电路，已知输入电源电压E=50V，R=5Ω，L值和C值极大，开关管V的PWM控制波形周期T=60μs，ton=40μs，则输出电流平均值Io的大小为（）
677图示为单端正激式直流变换电路，已知开关S控制信号的占空比为α，在输出滤波电感电流连续的情况下，输出电压与输入电压之间的变换比为（）
678单端正激式直流变换电路如下图所示，其中输入端电压Ui为100V，变压器绕组匝数N1=N3=100，N2=200，开关S采用PWM控制信号的占空比为04，当输出端电感电流连续时输出电压Uo平均值大小为（）
679单端反激式直流变换电路结构如下图所示，开关S控制信号占空比为α，在电流连续模式下该电路的电压变换比为（）
680电力电子技术是对电能进行（）的技术。
681下列哪些选项可以应用到电力电子技术？
682将直流电能转换为另一种直流电能供给负载的变流器是（）
683电力电子技术已经是一门非常成熟的课程，不再需要大的发展。
684电力电子技术主要包括（）和（）两部分内容。
685下列电力电子器件中，不存在电导调制效应的是（）
686下列对晶闸管特性的叙述中，错误的是（）
687双向晶闸管的额定电流是以（）定义的
688GTO的额定电流是以（）定义的
689下列电子器件中，电流容量最大的是（），开关频率最高的是（）
690晶闸管刚由断态进入通态，去掉门极信号，仍能维持导通所需的小阳极电流称为（）
691晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为（）
692门极可关断晶闸管（GTO）和电力晶体管（GTR）均属于（）型器件
693二极管和晶闸管都是属于半控器件。
694维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的阳极电流大于能保持晶闸管导通的最小电流。
695单相桥式全控整流电路需要用到的开关器件个数是（）
696单相桥式全控整流电路晶闸管承受的最大反压是（）
697单相半波可控整流电路中电阻性负载，则a角的移相范围是（）
698单相全波整流电路中晶闸管承受的最大电压是（）
699单相半波可控整流电路中，阻感性负载，若a为定值，φ越大，则导通角θ（）
700单相全波电路有利于在（）的场合应用
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