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模拟电子技术基础

101正向导通的二极管交流电阻大于直流电阻。
102二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。
103对二极管电路的静态分析与动态分析遵循（）原则。
104在已知电路静态工作点的前提下，二极管的小信号模型可用于对二极管电路做（）分析，
105稳压二极管是利用PN结的（）。
106以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。
107有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为07V若将它们串联相接，稳压值（）得不到。
108有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为07V。若将它们并联相接，可得到（）几种稳压值。
109稳压二极管只有在反向偏置时才能起到稳压作用。
110在正常工作范围内，稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
111反映稳压二极管反向击穿特性的折现模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与反向电压（）的比。
112二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（）。
113以下说法错误的是（）。A电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
114二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。
115反映稳压二极管反向击穿特性的折线模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与（）的比。
116平衡的PN结又称（）。
117根据普通硅二极管的伏安特性，将15V的干电池以正偏方向接到二极管两端，就可以让管子正常工作。
118稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
119外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子的逆电场漂移运动。
120在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，扩散电容起主要作用。
121对二极管电路的静态分析与动态分析遵循先静后动原则。
122与BJT相比，场效应管（）。
123场效应管与BJT均属于电压控制型器件，其中场效应管是单极型器件，BJT是双极型器件。
124跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力，其单位为mS（毫西门子）。
125P沟道增强型MOS管的开启电压为正值。
126对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或零。
127场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。
128测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=6V，VG=0V，VD=5V，其开启电压VGS(th)=﹣4V。试分析管子的工作状态。
129当工作于饱和区的场效应管，漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）
130测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。
131已知放大电路中一只MOS三个极S、GD的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子
132测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
133测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
134测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=15V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
135测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。
136测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
137测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态
138测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-15V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
139场效应管的静态工作点由哪些参数决定。
140下面说法正确的有（）A对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。
141场效应管的特性曲线有输入特性和输出特性。
142静态工作点的求解方法有图解分析法和小信号模型分析法。
143下面说法正确的有：（）A估算法，可以用于求静态工作点。
144下面说法正确的有：（）A图解分析法，可以用于求静态工作点。
145BJT的三个区，（）的掺杂浓度最低
146发射区与（）区是同种类型的半导体。
147三个引脚电流中，发射极电流的实际方向与（）极的电流实际方向相同。
148三个引脚电流中有效值最大的是（）
149BJT正常放大时，发射结一定是（）
150正常工作的BJT，输出特性曲线分三个区域，它们是（）。
151BJT正常放大时，其两个PN结（）
152下列说法中，错误的有（）
153在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-67V，V3=-7V，则1脚是（）
154在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-67V，V3=-7V，则2脚是（）
155在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-67V，V3=-7V，则3脚是（）
156在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-67V，V3=-7V，该管的材料是（）
157在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-67V，V3=-7V，该管的类型是（）
158在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-298mA，I2=3mA，I3=-002mA；则1脚是（）
159在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-298mA，I2=3mA，I3=-002mA；则2脚是（）
160在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-298mA，I2=3mA，I3=-002mA；则3脚是（）
161在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-298mA，I2=3mA，I3=-002mA；该管子的类型是（）
162在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-298mA，I2=3mA，I3=-002mA；该管子的β约为（）
163共射组态的放大电路结构特点是：
164实验测得基本共射极放大电路的ICQ较大，需减小到某值，应如何调整电路？
165实验测得基本共射极放大电路的IBQ较大，需减小到某值，应调整：
166基本共射电路中，换一个BJT，使得其β增大（电路中其它元件参数不变），则（）
167对阻容耦合的放大电路，下列说法中正确的有：
168作放大电路的交流通路时，应该：
169增大Rc，并不能改变基本共射电路的基极偏置电流IBQ。
170增大Rb，将使得基本共射电路的ICQ增大。
171增大Rb，将使得基本共射电路的ICQ减小。
172增大Rc，基本共射电路的BJT的IBQ将减小。
173交流负载线的作图方法采用（）比较便利。
174基本共射极放大电路中，直流负载线的斜率与（）有关。
175下列说法中错误的是（）Avi、vo、ib和ic的频率一定是一致的
176阻容耦合放大电路的直流负载线的斜率与负载电阻无关。
177交流负载线的斜率与负载电阻无关。
178直流负载线和交流负载线的交点就是静态工作点。
179直流负载线和交流负载线的交点是（Vcc，0）
180直流负载线的斜率比交流负载线更陡峭。
181共射极放大电路中，下列哪一组信号是反相的（）
182共射电路的结构特点是（）
183当基本共射电路的Rb增大时（其余参数不变），以下说法中正确的有（）
184当共射电路的Rc增大时（其余参数不变），以下说法中正确的有（）
185rbe是动态电阻，与BJT的静态工作点无关。
186当输入电压幅值很大时，BJT的微变等效模型就不再适用了。
187射极偏置电路的结构特点是（）
188下列说法中错误的是（）A射极偏置电路的静态工作点比基本共射电路更稳定
189环境温度升高（射极偏置电路的其他参数不变）时，下列说法中正确的是（）
190下列说法中正确的有（）A射极偏置电路的vo与vi反相
191增大Re（其余参数不变，电路中不存在旁路电容）时，哪些指标的大小将减小（）
192增大Re（其余参数不变，电路中存在旁路电容）时，下列说法中（）是错误的。
193射极偏置电路属于固定偏流式。
194Re的存在能够稳定BJT的静态工作点。
195若Re在交流通路中存在，将使得Av的大小增大。
196共集电极放大电路的结构特点是（）
197基本共集电极放大电路的Ri与（）差不多大小。
198基本共集电极放大电路的别名有（）
199下列说法中错误的有（）A共集电极放大电路一定属于固定偏流式
200共集电极放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小。
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