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128601根据结构的不同，场效应管的类型通常分为（）种。
128602利用晶体管的开关特性可构成开关电路，这时管子工作在（）。
128603对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于（）后，才会形成导电沟道。
128604对小功率NPN硅管处于放大区时，（）。
128605晶体管截止时，两个PN结的偏置关系是（）。
128606晶体管处于饱和状态时，要求（）。
128607晶体管处于放大状态时，下列的正确说法是（）。
128608工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从lmA变为2mA，那么它的β约为（）。
128609当GS之间的电压为0时，（）管不可能工作在恒流区。
128610具有不同的低频小信号模型。
128611输入（）时，可用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。
128612在下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。
128613某NPN管电路中，测得BE之间的电压为0V，BC之间电压为-2V，则可知该晶体管工作于（）状态。
128614场效应管电路的分析方法与晶体管电路的分析方法相类似，也是先静态分析，后动态分析。
128615静态工作点的分析可以采用小信号模型。
128616JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结（），目的是使得输入电阻（）。
128617场效应管的耗散功率大小受到管子最高工作温度的限制。
128618跨导是一个与工作点无关的物理量。
128619低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。
128620从对沟道的影响来讲，开启电压和夹断电压属于同一种参数。
128621饱和漏极电流是增强型管的参数。
128622对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为（）场效应管和（）场效应管。
128623EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。
128624场效应管从结构上可分为两大类，即（）和（）。
128625当栅源电压为0时，（）管不可能工作在恒流区。
128626在工程分析中，通常先用工程近似法进行静态分析，再用小信号模型分析法进行动态分析。
128627图解分析法的缺点是分析问题的过程比较复杂，对小信号而言，作图的精度低。
128628当输入为（）时，可利用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。
128629晶体管做为开关电路使用时，是工作在放大状态。
128630NPN型硅晶体管工作于饱和状态时，集射之间的电压近似等于（）。
128631晶体管发射结正偏导通时，工作状态有（）和（）两种可能。
128632晶体管的静态工作点Q非常重要，只有当Q点处于放大区时，管子才具有放大能力。
128633晶体管输出端外电路的伏安特性方程，也称为晶体管的输出电路的直流负载方程。
128634在工程近似法中，对于硅二极管，其导通电压可用0.2V表示。
128635晶体管直流电路的分析方法主要有（）。
128636当晶体管工作于放大状态时，直流放大系数与交流放大系数基本相等。
128637集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗，则晶体管的性能将变坏，甚至过热烧坏。
128638穿透电流随温度的上升而（），这时晶体管的温度稳定性（）。
128639温度升高时，晶体管的导通电压（），电流放大系数（）。
128640硅三极管的导通电压通常取为（）。
128641对于硅三极管，死区电压约为（），对于锗三极管，死区电压约为（）。
128642晶体管工作于饱和状态时，集、射之间相当于开路。
128643晶体管截止的条件是，发射结（），集电结（）。
128644晶体管具有电流大作用的外部条件是，发射结（），集电结（）。
128645晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向
128646在晶体管的图形符号中，NPN管发射电流方向是（）的，PNP管的发射电流方向是（）的。
128647晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度（），基区的特点是区域很薄，掺杂浓度（），集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
128648稳压管使用时应串接（），以保证反向电流不超过最大允许电流，避免热击穿。
128649光电二极管工作时需加（）偏置电压。
128650稳压二极管是利用二极管的（）特性实现稳压。
128651用万用表电阻挡测试二极管，其正、反向电阻均为零，说明二极管内部已（）。
128652用万用表电阻挡测试二极管时，若正向电阻远（）于反向电阻，说明二极管性能较好。
128653变容二极管是一个非线性电容，电容量随反向电压增加而（）。
128654半导体二极管的最重要的特点是具有（）。
128655当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个（）。
128656N型半导体的多数载流子是（）。
128657P型半导体中的多数载流子是（）。
128658纯净且无杂质的半导体称为（）。
128659当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结。
128660P型半导体中的多数载流子是空穴。
128661N型半导体的多数载流子是电子。
128662纯净的半导体称为本征半导体。
128663本征激发会成对产生自由电子和空穴。
128664只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用
128665对小信号而言，二极管的伏安关系呈线性，因此可以用一个电阻来等效。
128666PN结两侧的电位差称为内建电位差，也叫接触电位差。
128667热击穿是可逆的，电击穿是不可逆的。
128668二极管的伏安特性受温度影响较大，当温度升高时，正向特性曲线向右移，反向特性曲线向上移。
128669理想二极管等效为一个理想压控开关，正偏时开关合上，反偏时开关断开。
128670对包含多个二极管的电路进行分析时，要注意优先导通的管子会对其它管的工作状态产生影响。
128671工程中分析包含有二极管的电路，多采用恒压降模型进行静态分析，再用小信号模型进行动态分析。
128672稳压二极管工作在反向击穿区，但属于电击穿。
128673光电二极管反向电流随光照强度增加而上升。
128674发光二极管反向击穿电压一般大于5V，为安全起见，一般工作在5V以下。
128675肖特基二极管导通电压比普通二极管低。
128676二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到，并应接有合适的降压电阻。
128677N型半导体因为其多子是自由电子，所以它带负电。
128678杂质离子不能移动，因此不是载流子。
128679杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。
128680在P型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
128681光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。
128682半导体二极管正向偏置，处在正常工作状态，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小。
128683二极管整流电路的作用，是将正弦电压变成（）。
128684在下列二极管中，需要正偏工作的是（）。
128685流过二极管的正向电流增大时，其直流电阻将（）。
128686PN结形成后，空间电荷区由（）组成。
128687当未加外部电压时，PN结中的电流（）。
128688锗二极管的开启电压为（）。
128689如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管（）。
128690硅管的反向电流比锗管的反向电流（），因此硅管的单向导电性和温度稳定性（）。
128691半导体器件对（）敏感，这会导致器件性能的不稳定。
128692发光二极管正常工作时需要施加（）偏置电压。
128693二极管反向饱和电流随着温度的升高而（）。
128694在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为（）V。
128695在室温27度时，硅二极管的死区电压大约为（）V。
128696ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层（）。
128697ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流（）。
128698半导体本征激发会成对产生（）。
128699发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管，使用时应加正偏电压，且串接合适的限流电阻。
128700变容二极管在电路中的主要作用是（）。
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