首页
›
答案
›
题库
›
慕课
›
未分类
N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V,电导常数Kn=1mA/V^2,开启电压UGS(th)=1V,则管子的低频跨导gm等于()mS。
N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V,电导常数Kn=1mA/V^2,开启电压UGS(th)=1V,则管子的低频跨导gm等于()mS。
正确答案:2
标签:
模拟电子技术基础
电压
沟道
上一条:
BJT的集电极电流IC=2mA,电流放大系数β=100,忽略基区体电阻rbb',则BJT的小信号模型参数rbe≈()kΩ。
下一条:
某BJT三极管工作在放大区,当基极电流从10μA变化到20μA时,集电极电流从2mA变化到4mA,则管子的电流放大系数 β约等于()。