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沟道

1生产厂房内外工作场所的井、坑、孔、洞或沟道，必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。在检修工作中如需将盖板取下，必须设（）。临时打的孔、洞，施工结束后，必须恢复原状。
2以下不属于典型黄土地貌的特征是哪项？（）
3图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是：
4某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：
5测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:
6生产厂房内外工作场所对井、坑、孔、洞或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的（）。
7变电站(生产厂房)内外工作场所的井、坑、孔、洞或沟道，应覆以（）而坚固的盖板。
8高处作业区周围的孔洞、沟道等应设（）并有固定其位置的措施。同时应设置安全标志、夜间还应设红灯示警。
9下列属于二级动火区的是：（）。
10在沟道和井下等密闭空间作业时，应（）。工作现场（），地面上应（）。
11沟道或井下等密闭空间的温度超过50℃时，不应进行作业，温度在40℃～50℃时，应根据身体条件轮流工作和休息。若有必要在50℃以上进行短时间作业时，应制定具体的安全措施并经值长批准。（）
12所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
13MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制_极和__极之间的导电沟道的通断
14地下维护室、沟道或井下的温度超过（）时，不得进入作业。
15P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）。
16当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
17作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
18平衡的PN结又称（）。
19P沟道增强型MOS管的开启电压为正值。
20EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。
21对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为（）场效应管和（）场效应管。
22从对沟道的影响来讲，开启电压和夹断电压属于同一种参数。
23在下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。
24具有不同的低频小信号模型。
25场效应管是利用栅源电压改变导电沟道的宽窄来实现对漏极电流控制的。
26FET全夹断时，没有导电沟道，但仍有电流通过。
27开启电压是是耗尽型场效应管夹断导电沟道所需的栅源电压。
28开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。
29MOSFET有N沟道和P沟道两种，下面说法错误的是（）。
30P-MOSFET就是指P沟道的功率场效应管。
31当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（）区。
32P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）
33当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流
34UGS=0时，不能工作在恒流区的场效应管是（）。
35下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有（）。
36P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
37N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
38作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
39N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mA/V^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于（）mS。
40下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（）。
41N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。
42已知N沟道增强型MOSFET的开启电压为UGS(th)=1V，若管子的偏置电压为UGS=2V，UDS=3V，则可以判断该管子工作在（）区。
43当MOSFET工作在饱和区时，它的导电沟道是连续的（沟道没有夹断区）。
44山顶造林戴帽子，山坡种草披褂子，山腰兴修梯田系带子，山下建棚覆膜围裙子，沟道打坝蓄水穿靴子是践行了（）原理。
45N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G－－栅极、D－－漏极、S－－源极。
46工作中JFET源极电流等于漏极电流，这一电流（）。
47对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为负，并且只能当UGS小于开启电压时，才能形有漏极电流。
48对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（）电压。（填写正/负）
49P沟道结型场效应管的夹断电压Up为（）。
50P沟道耗尽型MOS管中，外加电压UGS的极性为（）。
51河流的主要特点是具有相对固定的沟道，并有经常性流水。
52为了使结型N沟道场效应管工作在恒流区，应使uGS（）
53为了使增强型N沟道场效应管工作在恒流区，应使uGS（）
54为了使耗尽型N沟道场效应管工作在恒流区，应使uGS（）
55增强型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。（）
56耗尽型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。（）
57在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
58形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
59若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
60高处作业区周围的孔洞、沟道等应设盖板、安全网或围栏。
61在气固相流化床中，当出现大量气体没有很好地与颗粒接触，经过沟道而上升时，说明：
62如果遇到泥石流，你知道向哪里逃生最安全吗？
63结型场效应管(JFET)（）。
64下面的描述（）不属于电力MOSFET的特性
652-4、MOS管分为P沟道和N沟道MOS管，P沟道MOS管相当于NPN型晶体三极管，N沟道MOS管相当于PNP型晶体三极管，下面描述正确的是（）。
66下列不属于模具中冷却装置的三类形式的是（）？
67某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）。
68根据规划中各项措施的治理要点和实施要求，水土流失治理措施可以采用工程、植物、农业三大措施，具体包括
69以N沟道结型场效应管为例，要使其分别工作在：夹断状态、恒流状态、可变电阻状态，下列条件对应正确排序应该是：（）
70排水沟道的主要任务是（）
71平均排除法适用于（）
72在侵蚀沟道源头修建的防止沟道塑源侵蚀的工程设施是（）。
73土壤侵蚀主要类型有水力侵蚀、重力侵蚀、（）、冻融侵蚀和混合侵蚀等。
74淤地坝指在沟道里为了拦泥淤地所建的治沟工程，下列对淤地坝的功能表述错误的是（）。
75土壤侵蚀主要类型有水力侵蚀、重力侵蚀、风力侵蚀、（）和混合侵蚀等。
76（）是指横筑于易受侵蚀的小沟道或小溪中的小型固沟、拦泥、滞洪建筑物，高度在5m以下。
77谷坊根据（），可分为土谷坊、干砌石谷坊、插柳谷坊、浆砌石谷坊等。
78径流是由于降水而从流域内（）汇集到河沟，并沿河槽下泄的水流的统称。
79下列关于水土保持沟道工程的功能叙述不正确的是（）。
80（）是在沟道修建的以拦蓄山洪、泥石流、沟道中固体物质为主要目的的挡拦建筑物。
81沟道护岸工程的作用表述错误的是（）。
82广泛分布于黄土高原的各级沟道中的淤地坝，基本上都是采用碾压或水坠施工的（）。
83（）主要作用是防止坡面径流由沟头进入沟道或使之有控制的进入沟道，从而制止沟头前进、沟底下切和沟岸扩张，并拦蓄坡面径流泥沙，提供生产和人畜用水。
84土壤侵蚀主要类型有（）、重力侵蚀、风力侵蚀、冻融侵蚀和混合侵蚀等。
85（）指在多泥沙沟道修建的以控制沟道侵蚀、拦泥淤地、减少洪水和泥沙灾害为主要目的的沟道治理工程设施。。
86谷坊一般布置在（），沟底下切剧烈发展的沟段。
87常见的水土保持工程措施按修建目的及其应用条件分为（）、沟道治理工程和护岸工程3大类。
88从电缆沟道引至电杆或者外敷设的电缆距地面（）高及埋入地下025m深的段需加穿管保护。
89增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（）。
90电缆是一种多芯导线，一般埋设于土壤中或敷设于沟道、隧道中，占地少，且传输稳定，安全性能高，它在电路中起着输送和分配电能的作用。
91整合营销沟道理论的先驱是（）
92槽状或沟道型浊积岩体是有利于
93下列哪些措施能够有效的避免遭遇泥石流？（）
94地表径流是指（）超过下渗强度而形成沿地表流动的水流，包括山坡的层流和沟道水流。
95拦沙坝是以拦蓄山洪及泥石流沟道（荒溪）中固体物质为主要目的。
96山区沟道内为防止沟床冲刷及泥沙灾害而修筑的横向挡拦建筑物称为（）。
97N沟道结型场效应管的偏置电压UGS应为（）。
98N沟道结型场效应管的开启电压（）。
99为固定沟床，拦蓄泥沙，防止或减轻山洪及泥石流灾害而在山区沟道中修筑的各种工程措施，称为（）。
100在土质较粘重的易旱、易涝、易渍地区，控制地下水位要求的排水沟间距较小，除排水农沟外，尚须在农田内部布置1～2级田间排水沟道。
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