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MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型与体材料的(),若增加掺杂浓度,其开启电压将()。
MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型与体材料的(),若增加掺杂浓度,其开启电压将()。
A.不同/增加
B.不同/减小
C.相同/增加
D.相同/减小
正确答案:不同/增加
标签:
半导体物理
表面
浓度
上一条:
MOS器件绝缘层中的可动电荷是()
下一条:
对n型衬底MIS结构而言,当绝缘层中存在正电荷时,其高频C-V特性曲线将()。