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对n型衬底MIS结构而言,当绝缘层中存在正电荷时,其高频C-V特性曲线将()。
对n型衬底MIS结构而言,当绝缘层中存在正电荷时,其高频C-V特性曲线将()。
A.向负偏压方向平行移动
B.向正偏压方向平行移动
C.不变
D.无法判断
正确答案:向负偏压方向平行移动
标签:
半导体物理
偏压
方向
上一条:
MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型与体材料的(),若增加掺杂浓度,其开启电压将()。
下一条:
半导体表面达到强反型以后,随外加电压的增加,耗尽层宽度()。