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当在理想MIS结构上外加电压时,可能发生的状态有()
当在理想MIS结构上外加电压时,可能发生的状态有()
A.多子积累
B.多子耗尽
C.少子反型
D.少子积累
E.少子耗尽
F.多子反型
正确答案:多子积累;多子耗尽;少子反型
标签:
半导体物理
少子
电压
上一条:
半导体表面达到强反型以后,随外加电压的增加,耗尽层宽度()。
下一条:
由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时,已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度,则可能的原因有()。