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半导体表面达到强反型以后,随外加电压的增加,耗尽层宽度()。
半导体表面达到强反型以后,随外加电压的增加,耗尽层宽度()。
A.增加
B.不变
C.减小
D.无法判断
正确答案:不变
标签:
半导体物理
宽度
半导体
上一条:
对n型衬底MIS结构而言,当绝缘层中存在正电荷时,其高频C-V特性曲线将()。
下一条:
当在理想MIS结构上外加电压时,可能发生的状态有()