首页
›
答案
›
题库
›
慕课
›
未分类
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是()
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是()
A.表面处费米能级与本征费米能级重合
B.表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央
C.表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等
D.表面势等于费米势的两倍
E.表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
正确答案:表面处费米能级与本征费米能级重合;表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央
标签:
半导体物理
能级
费米
上一条:
由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时,已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度,则可能的原因有()。
下一条:
以下可能导致MIS结构(p型衬底)的阈值电压提高的因素有()