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以下可能导致MIS结构(p型衬底)的阈值电压提高的因素有()
以下可能导致MIS结构(p型衬底)的阈值电压提高的因素有()
A.提高衬底的掺杂浓度
B.增加绝缘层的厚度
C.降低金属的功函数
D.提高平带电压
E.提高绝缘层的介电常数
正确答案:提高衬底的掺杂浓度;增加绝缘层的厚度;提高平带电压;提高绝缘层的介电常数
标签:
半导体物理
衬底
电压
上一条:
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是()
下一条:
“表面电场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。()