下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。

下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
正确答案：室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV