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半导体器件原理与仿真设计

1硅的晶格结构是（），按能带结构划分属于（）。
2金刚石结构是由两个（）结构沿空间对角线错开四分之一长度互相套构而成。（）
3对于金刚石结构，原子面密度最大和最小的面密勒指数分别是（）。
4半导体电阻率的温度系数为（），金属电阻率的温度系数为（）。
5设N个硅原子排列起来结合形成硅晶体，根据不相容原理，原来属于N个单个原子的相同价电子能级必定分裂成属于整个晶体的N个能级，可以容纳的电子数为（）。
6下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。
7硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是（），离（）近。
8下列关于费米能级的说法错误的是（）。
9下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。
10如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
11闪锌矿型结构和纤锌矿型结构都是正四面体结构，其中闪锌矿型结构具有六方对称性，纤锌矿型结构具有立方对称性。
12在一块半导体中同时掺入N型杂质和P型杂质，会发生杂质补偿作用，施主能级和受主能级上的电荷先相互抵消，剩下的电荷才能成为导电粒子。
13导带中的电子可能和价带中的空穴复合，释放出的能量以声子的形式发射出去，这一过程称为辐射复合。
14费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别在于前者收到泡利不相容原理的限制。
15在半导体中，电子按照能量大小服从一定的统计分布规律。一般量子态具有的能量越高，电子占据的概率越大。
16PN结势垒区电势最低的位置是（）。
17在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（）。
18下列关于PN结的说法中，错误的是（）。
19下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（）。
20下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。
21实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（）。
22通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是（）。
23下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（）。
24在pn结空间电荷区中，n区留下（）。
25锗pn结的正向导通电压大约为（）V。
26pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（）。
27PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
28PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。
29考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。
30PN结锗管比硅管更容易发生热击穿。
31pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。
32pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。
33反向截止时，少子漂流形成的漏电流是功耗的一大原因。
34大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用，效果上相当于扩散系数增加一倍。
35单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。
36pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。
37双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（）。
38NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（）。
39以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了（）在基区中的运动，该载流子做（）运动。（）
40引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。
41实际晶体管做共发射极连接使用时，输出特性曲线中不同基极电流对应的曲线切线交于同一点，以下关于其原因的说法中正确的是（）。
42BJT大注入情况下不会引起（）。
43平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（）。
44双极型晶体管大注入时，将引起基区电导（）。
45考虑Early效应对双极型晶体管共基极连接使用的影响，以下说法中不正确的是（）。
46双极型晶体管的发射极和集电极是等效的，使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。
47共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用，但是有电流和功率放大作用。
48双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用，工作在饱和区时可做放大使用。
49双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（）
50漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。
51对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
52双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（）
53双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（）
54考虑BJT有效基区扩展效应，随着发射极电流的增加，晶体管共发射极电流放大系数增大。
55双极型晶体管的电流增益-带宽乘积指的是（）。
56随着BJT工作频率的升高，基区输运系数的幅值（），滞后相移（）。
57双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的（）。
58晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。
59流过晶体管结电阻的发射极电流（）被集电区接收，流过发射极扩散电容的发射极电流（）被集电区接收（）。
60以npn晶体管为例，ic与inc相比，相位（），幅度（）。
61以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是（）。
62以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。
63由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
64少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。
65硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。
66双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（）
67对于双极型晶体管，共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。（）
68为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（）
69为减小BJT集电极延迟时间常数，可通过减小集电极串联电阻和集电极电容。（）
70晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。（）
71本征参数是指由一维连续方程导出的（）。
72实际晶体管等效电路相比本征部分，多出的部分不包括（）。
73小信号等效电路中的小信号属于（）
74推导晶体管的小信号等效电路时，首先将其等效为（）端口网络
75晶体管发射极电流，集电极电流，集电极电流之间满足（）。
76本征晶体管的T形等效电路也称为（）参数等效电路（）。
77考虑混合π形等效电路，将晶体管分为低频段、中频段和高频段的两个分界频率值为（）。
78由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
79晶体管的工作频率增加一倍，则功率增益（）。
80高频优值定义为功率增益与（）的乘积，该值越大，晶体管放大能力（）。
81若晶体管使用频率非常高，必须考虑管壳的寄生参量，特别是（）。
82晶体管等效电路中，gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导，表示晶体管放大能力。（）
83晶体管等效电路通常的表示方法是混合Π型参数等效电路，属于物理模型等效电路。（）
84晶体管用作放大器时，静态工作点由交流通路决定，而放大器的增益、输出电阻等由它的直流通路决定。
85晶体管的发射结电阻是常数。
86考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。
87本征晶体管的T形等效电路不需要考虑寄生，因此不需要考虑基极电阻rbb。
88在共发射极电路中，采用混合π形等效电路更容易在各频段进行简化。
89在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗，因此并联情况下，集电极电阻可以忽略。
90晶体管工作在低频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都可忽略。
91晶体管工作在中频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都不可忽略。
92晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。
93共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。
94增益-带宽积标志着晶体管的放大能力。
95晶体管具有放大能力的极限频率为特征频率，超过这一频率值晶体管不能实现电压放大。