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在一定温度下,以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是()。
在一定温度下,以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是()。
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
正确答案:减小低掺杂区的掺杂浓度
标签:
半导体器件原理与仿真设计
浓度
接触电势差
上一条:
PN结势垒区电势最低的位置是()。
下一条:
下列关于PN结的说法中,错误的是()。