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下列说法中,哪一项不是对PN结空间电荷区充电()。
下列说法中,哪一项不是对PN结空间电荷区充电()。
A.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中
B.PN结外加正向偏压增大
C.PN结外加反向偏压减小
D.使空间电荷区势垒宽度减小
正确答案:使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中
标签:
半导体器件原理与仿真设计
电荷
偏压
上一条:
下列关于PN结整流效应的说法中,错误的是()。
下一条:
实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似,相当于势垒高度()。