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单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。

单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。
A.正确
B.错误
正确答案：错误

标签：半导体器件原理与仿真设计突变浓度

上一条：大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用，效果上相当于扩散系数增加一倍。

下一条：pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。