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引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是()。
引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是()。
A.发射结正偏电压变化
B.集电结反偏电压变化
C.基区少子浓度梯度变化
D.发射结势垒宽度变化
正确答案:集电结反偏电压变化
标签:
半导体器件原理与仿真设计
电压
宽度
上一条:
以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。()
下一条:
实际晶体管做共发射极连接使用时,输出特性曲线中不同基极电流对应的曲线切线交于同一点,以下关于其原因的说法中正确的是()。