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对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。
对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
标签:
半导体器件原理与仿真设计
少子
电场
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漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。
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双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低,发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。()