由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
A.集电结势垒电容
B.集电结扩散电容
C.发射结势垒电容
D.发射结扩散电容
正确答案：集电结扩散电容