关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：

关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。
B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快。
C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。
D.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。
正确答案：绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。