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晶体管
晶体管
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PLC程序能对()进行检查。
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下列选项()不是可编程序控制器的抗干扰措施。
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晶体管特性图示仪是可以测试晶体管二极管,三极管特性曲线的电子仪器
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FX2N系列PLC晶体管输出型可以驱动直流型负载
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晶体管有()个PN结。
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晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。
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工作在放大状态的某PNP晶体管,各电极电位关系为()。
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晶体管在放大状态时,其电压偏置条件为()。
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下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力()。
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管压降UCE增大,共发射极接法的晶体管的输入特性曲线()。
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晶体管的输出特性描述的是当()为常数时,()随()变化的函数。
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已知某晶体管UBE=0.7V,UCE=3V,则该管工作在()区。
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在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态,最简单的是测量()。
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当晶体管工作在截止区,发射结和集电结偏置状态应为()。
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晶体管的开关作用是()。
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某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,UBR(CEO)=30V,若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时,则工作电流分别不得超过()。
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测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA,晶体管的共射电流放大系数β()。
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晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将()。
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温度升高时,放大电路中的晶体管的输出特性曲线将()。
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电路中的晶体管原处于放大状态,若将Rb调至零,则晶体管()。
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有关rbe,下列说法中正确的是()。
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BJT混合参数模型中hfe通常可以在晶体管参数手册上获得。
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分压式偏置工作点稳定电路,当β=50时,IB=20μA,IC=1mA。若只更换β=100的晶体管,而其他参数不变,则IB和IC分别是()。
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直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。
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由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以常常是利用晶体管的特性曲线通过图解法来进行分析计算的。
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由于在功放电路中功放管常常处于极限工作状态,因此在选择用于功放的晶体管时要注意()参数。
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镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
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下列型号的时间继电器属于晶体管时间继电器的是()。
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晶体管时间继电器比气囊式时间继电器在寿命长短、调节方便、耐冲击三项性能相比
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第一代计算机采用的硬件技术为()
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把电路中的所有元器件如晶体管、电阻、二极管等都集成在一个芯片上的元件称为()
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超大规模集成电路缩写(),能容纳()以上晶体管。
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从1946年到1964年,短短20年间,计算机经历了() 三个阶段。
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变流系统中的电力电子器件都经历过从()的发生过程。
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GTO的全称是()
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第一代计算机的主要特征是采用晶体管作为计算机的逻辑元件。
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第二代计算机是采用作为主要逻辑元件的。
38
计算机的发展经历了电子管时代、()、集成电路时代和大规模集成电路时代
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晶体管的发明是为了放大(电流/电压)。
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发明晶体管之前,主要的放大元件是。
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第一个晶体管采用的()半导体材料。
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世界上第一台电子计算机埃尼阿克采用的是()
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电子管的替代产品是()
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1956年诺贝尔物理学奖被授予()的发明者.
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1954年,世界上第一台晶体管计算机诞生于()实验室.
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电路中常用的电子元件有()
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双极型晶体管的发射结和集电结都正偏,处于()状态。
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处于放大状态的NPN型晶体管的三个电极对地电位关系满足()。
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分析晶闸管的工作原理时,可将其看成是()互相连接构成。
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在数字电路中,晶体管一般不会工作在()。
51
测得放大电路中一晶体管的各极对地电位分别为-1V,-1.3V,-6V,则该管是()。
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测得放大电路中一晶体管的各极对地电位分别为2V,2.6V,7V,则该管是()
53
第二代电子计算机的主要元件是()。
54
使用晶体管作为主要逻辑元件的计算机是()计算机。
55
第二代计算机采用的电子器件是()。
56
摩尔定律描述了集成电路晶体管的数量每()个月翻一番。
57
()肖克利等三人发明了第一支晶体管
58
1947年肖克利、巴丁、布拉坦发明第一支晶体管
59
摩尔定律描述:芯片上所集成的晶体管数目,每隔12个月就翻一番.
60
摩尔定律描述芯片上所集成的晶体管数目,每隔12个月就翻一番.
61
摩尔定律描述了集成电路晶体管的数量每18个月翻两番。
62
计算机的发展经历了电子管时代、()、集成电路时代和大规模集成电路时代。
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三点式振荡器是指LC回路的三个端点与晶体管的三个电极分别连接而组成的反馈型振荡器。()
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功率放大电路的转化效率是指()
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互补电路产生交越失真的原因是晶体管的不对称性。
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第二代计算机采用的主要逻辑元件是()。
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S7-1200系列某一PLC的CPU型号为CPU1217CDC/DC/DC,第三个DC的含义是什么?
68
晶体管输出型接口电路中,当输出锁存器的对应位分别为“0”、“1”时,晶体管对应的状态分别为()。
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为适应不同负载需要,各类PLC的输出都有三种类型的接口电路,即继电器输出、晶体管输出、晶闸管输出。
70
晶体管的发明代替了电路中又大又慢的真空管,使计算机变小了。The invention of the transistor helped to make computers smaller by replacing the larger, less efficient vacuum tubes in the electronic circuits.
71
电压放大倍数指的就是晶体管的电流放大系数。
72
某晶体管工作在放大状态,测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.3V,则该管为()。
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晶体管用微变等效电路来代替的条件是晶体管工作在小信号状态下。
74
互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态,主要是为了克服()。
75
晶体管分为三个掺杂区,发射区的特点是掺杂浓度(),基区的特点是区域很薄,掺杂浓度(),集电区的特点是掺杂浓度较低,但面积大。
76
晶体管的图形符号中,箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向
77
晶体管具有电流大作用的外部条件是,发射结(),集电结()。
78
晶体管截止的条件是,发射结(),集电结()。
79
晶体管工作于饱和状态时,集、射之间相当于开路。
80
温度升高时,晶体管的导通电压(),电流放大系数()。
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穿透电流随温度的上升而(),这时晶体管的温度稳定性()。
82
集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗,则晶体管的性能将变坏,甚至过热烧坏。
83
当晶体管工作于放大状态时,直流放大系数与交流放大系数基本相等。
84
晶体管直流电路的分析方法主要有()。
85
晶体管输出端外电路的伏安特性方程,也称为晶体管的输出电路的直流负载方程。
86
晶体管的静态工作点Q非常重要,只有当Q点处于放大区时,管子才具有放大能力。
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晶体管发射结正偏导通时,工作状态有()和()两种可能。
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NPN型硅晶体管工作于饱和状态时,集射之间的电压近似等于()。
89
晶体管做为开关电路使用时,是工作在放大状态。
90
某NPN管电路中,测得BE之间的电压为0V,BC之间电压为-2V,则可知该晶体管工作于()状态。
91
具有不同的低频小信号模型。
92
晶体管处于放大状态时,下列的正确说法是()。
93
晶体管处于饱和状态时,要求()。
94
晶体管截止时,两个PN结的偏置关系是()。
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利用晶体管的开关特性可构成开关电路,这时管子工作在()。
96
晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通,集电结反偏。。
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晶体管处于截止区的条件是发射结反偏或零偏,集电结反偏。。
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晶体管输出特性通常分为三个区域,它们是可变电阻区,饱和区和截止区。
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当温度升高时,晶体管的电流放大系数将变小。
100
当温度升高时,晶体管的反向饱和电流将减小。
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