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以下对于非均匀形核的描述错误的是()
以下对于非均匀形核的描述错误的是()
A.一般所有的杂质都可以充当形核的基底
B.降低湿润角,一般需要选择与晶核相同晶体结构,相近的点阵常数作为异质形核点
C.当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时,润湿角为零
D.杂质表面的形状对于表面形核有影响,凹面促进形核
正确答案:一般所有的杂质都可以充当形核的基底
标签:
半导体材料
杂质
基底
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以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是()
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以下对于晶体生长的方法描述错误的是()