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半导体材料

1发光二极管是采用磷化镓或砷化镓等半导体材料制成。（）
2现代集成电路使用的半导体材料通常是。
3现代电子器件大多是基于半导体材料制备的？
4通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
5通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。
6第一个晶体管采用的（）半导体材料。
7集成电路采用的最主要的半导体材料是（）。
8世界上第一块集成电路是在半导体材料上制作的。
9为了在较大范围内有效地改变半导体材料的导电能力，可以（）。
10除了一些化合物半导体材料外，现代集成电路使用的半导体材料主要是（）。
11假设其它条件不变，可以通过（）降低半导体材料的电阻率。
12太阳电池材料中实现光电直接转换功能的材料是（）。
13以下哪种元素可以作为半导体材料？
14以下几种材料为宽禁带半导体的是（）
15以下对于半导体材料电学特性描述正确的是（）
16半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性（）
17以下对于半导体的描述错误的是（）
18半导体材料是一门交叉了材料、能源、信息三大类的学科。
19半导体的导电特性与金属相同。
20为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度，半导体材料本身必须高纯，没有或尽量少杂质。
21在光伏领域，硅材料是应用最为广泛的半导体材料。
22以下对于晶体生长描述正确的是（）
23以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是（）
24以下对于非均匀形核的描述错误的是（）
25以下对于晶体生长的方法描述错误的是（）
26晶体生长过程中，只有达到一定的过冷度时，才能自发进行熔-固相转变。
27晶体生长时，体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。
28在体系中存在外来质点（比如尘埃、固体颗粒、籽晶等），在外来质点上成核叫做均匀成核。
29硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。
30以下熔体生长法生长晶体描述正确的是（）
31目前生长半导体体单晶最常见的方法是（）
32生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般用什么方法（）
33SiC可以用熔体生长法。
34生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。
35液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
36区熔法可以生长熔点极高的晶体。
37CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
38以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有（）
39以下对于硅材料的性质的描述正确的是（）
40以下对于硅的化学性质描述正确的是（）
41以下对于硅材料特性的描述正确的是（）
42形成P型硅的掺杂剂是（）
43硅晶体的最密排面是{111}面，第一解离面是{110}面。
44硅材料本身是没有电活性的，可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。
45硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离，电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
46以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是（）
47以下描述正确的是（）A硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅
48以下描述错误的是（）A电子级高纯多晶硅达到9~10个9
49半导体硅的性能对于杂质非常敏感，一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。
50硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。
51硅烷法的成本低，但是安全性差。
52区熔提纯利用分凝原理。
53区熔的熔区移动速度越小，提纯效果越好。
54区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷，增加机械强度。
55区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。
56熔区次数的选择可以根据经验公式得到：n=(1~15)L/l
57硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1
58不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）
59在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）
60以下对于直拉生长描述错误的是（）
61Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
62掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
63在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
64可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。
65直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
66以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）
67以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）
68以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）
69直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。
70直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
71直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。
72氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质。
73直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。
74以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）
75以下对于硅外延生长描述不正确的是（）
76以下不是外延硅的主要缺陷（）
77以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）
78外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
79硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。
80目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术。
81硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。
82第三代半导体材料在光电子器件、电力电子器件、态光源、半导体激光器等领域有着广泛的应用，下列不属于第三代半导体材料的有（）。
83三极管按半导体材料分为NPN型和PNP型。（）
84常用的半导体材料是（）和锗。
85影响半导体压阻片灵敏系数K的主要因素是（）
86晶体管是由半导体材料制成的。（）
87以下哪种材料属于半导体材料（）
88制造霍尔元件的半导体材料中，目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（）。
89半导体器件的半导体材料是（）。
90P型半导体材料加入的杂质是几价元素（）
91制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（）。
92现代集成电路使用的半导体材料通常是（）
93半导体材料（）
94如果在半导体材料中掺入（）等五价元素，将制作成N型半导体。
95最常用的半导体材料是（）。
96霍尔元件多采用P型半导体材料
97霍尔传感器通常使用哪种材料制成？
98半导体应变片的灵敏度随（）的不同而不同
99只有硅元素能够作为半导体材料
100N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）。
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