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CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好,但是反应的源气、余气有毒。
CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好,但是反应的源气、余气有毒。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
测验
标签:
半导体材料
纯度
薄膜
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区熔法可以生长熔点极高的晶体。
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以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有()