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以下对于直拉生长描述错误的是()
以下对于直拉生长描述错误的是()
A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根,但是有坩埚破裂的风险
B.连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定
C.连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低,晶体质量高
D.连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀,但是掺镓除外
正确答案:连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低,晶体质量高
标签:
半导体材料
晶体
拉出
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在直拉硅生长过程中,熔体出现对流,以下对于对流的描述错误的是()
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Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅,但是使得一次拉出来的晶体长度受限。