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GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（）

GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（）
A.正确
B.错误
正确答案：A

标签：材料物理电负性宽度

上一条：化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（）

下一条：砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（）