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窄的成分过冷区间是胞状晶形成的必要条件。

窄的成分过冷区间是胞状晶形成的必要条件。
A.正确
B.错误
正确答案：正确

标签：材料成形原理晶形过冷

上一条：V型偏析和逆V型偏析区域内富含S、P等杂质。

下一条：晶界偏析对材料性能造成的危害比晶内偏析小。