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下列对器件尺寸参数描述正确的有()
下列对器件尺寸参数描述正确的有()
A.L是器件的沟道长度,W是器件的宽度
B.tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺决定
C.一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D.一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
正确答案:L是器件的沟道长度,W是器件的宽度;tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺决定;一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
标签:
器件
沟道
工艺
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下列关于阈值电压的说法,不正确的是()
下一条:
如果一个电路的最高电压是VDD,最低电压是VSS,那么NMOS器件的衬底应该接VDD。