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最有效的复合中心能级位置在（）附近。

最有效的复合中心能级位置在（）附近。
A.EA
B.少子
C.多子
D.Ei
正确答案：D

标签：半导体物理学少子能级

上一条：最有利陷阱作用的能级位置在（）附近

下一条：载流子在电场作用下的运动为（）。